5月30日，山西省半导体产业联盟授牌仪式、中科潞安半导体技术研究院落成典礼暨中科潞安深紫外LED项目投产仪式在中科潞安紫外光电科技有限公司举行。
　　2018年4月，长治市政府、中国科学院半导体研究所、潞安集团三方共建的“中科潞安半导体产业技术研究院”签约仪式在长治举行。同年12月，中科潞安深紫外LED项目完成项目的核心建设，顺利实现联合试运转。经过5个月的调试运转和工艺验证，项目产线设备状态和生产能力稳健提升和完善。项目正式投产，标志着深紫外LED项目进入到一个新的阶段。
　　据了解，中科潞安深紫外LED项目项目位于长治高新区漳泽新型工业园区，项目分两期建设，总投资约20亿元。其中：一期工程为年产3000万颗紫外LED芯片项目，投资5.4亿元。二期工程为年产3亿颗紫外LED芯片项目，投资15亿元。项目建成后，将形成以半导体深紫外LED芯片为核心、布局下游产品的千亿元深紫外产业园区，市场前景广阔。